灰分坩堝主要用于氣氛保護下燒結、真空下反應燒結等。廣泛應用于高等院校，科研院所，工礦企業等實驗和小批量生產。主要用于煅燒真空或惰性氣體保護下的高純度化合物或擴散半導體晶片，也可用于烘燒或燒結陶瓷材料。
 

　　灰分坩堝的熔點高，化學性質穩定，在空氣中灼燒后不發生化學變化，也不吸收水分，大多數化學試劑對它無侵蝕作用。
 

　　能耐氫氟酸和熔融的堿金屬碳酸鹽的腐蝕是鉑有別于玻璃、瓷等的重要性質，因而常將其用于沉淀灼燒稱重、氫氟酸熔樣以及碳酸鹽的熔融處理。鉑在高溫下略有一些揮發性，灼燒時間久后要加以校正。100cm2面積的鉑在1200℃灼燒1h約損失1mg，鉑在900℃以下基本不揮發。
 

　　注意事項：
 

　　1、產品使用前，需裝爐空載煅燒。參考煅燒工藝為：
 

　　①煅燒時，坩堝堝底位于爐內高溫區，采取分段升溫方式，低溫時不充氬氣，
 

　　②煅燒溫度>1600℃(或煅燒功率大于化料功率5kW左右)，
 

　　③煅燒時間為(4～8)h，
 

　　④煅燒次數為(1～3)次，數次烘烤時，需將前次煅燒時沾污在爐內及被煅燒物上的雜物清理干凈才進行下次煅燒。
 

　　2、裝料前，需將堝托、碳/碳坩堝等制品的內外表面清理干凈，安放平穩，并使灰分坩堝的堝體與其活動底的接縫處高度一致,平滑過渡,防止因安裝不當至開裂漏硅。
 

　　3、放灰分坩堝時，視其質量使外徑小于內徑(3～8)mm，以利于加熱時產生的氣體逸出，減輕其對灰分坩堝的危害。
 

　　4、在使用過程中若出現悶爐情況，應在停爐的前20分鐘采取相應措施，減慢硅液的冷卻速度，盡可能使堝內硅料按從下往上的順序冷卻，以減小硅料冷卻時膨脹產生的應力對坩堝的損害。